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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FR2000045A1 | A1 | 19690829 | claim | claims | 1 | §9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication, à partir d'aciers de construction au carbone et alliés, de tôles, de barres et de profilés présentant une forte épaisseur, une limite d'élasticité élevée et un rapport Re/Rm compris entre les limites de 0,80 à 0,95, et qui, après un laminage à chaud,... | 855 | §9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication, à partir d'aciers de construction au carbone et alliés, de tôles, de barres et de profilés présentant une forte épaisseur, une limite d'élasticité élevée et un rapport Re/Rm compris entre les limites de 0,80 à 0,95, et qui, après un laminage à chaud,... | 855 | §9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcess of manufacture, starting from carbon steel and alloy steels, of sheets, bars and profiles with a high thickness, a high yield strength limit, and a Re/Rm ratio between 0.80 and 0.95, and which, after hot rolling, are subjected to a cold rolling process characterized... | Translate FR->EN:
§9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication, à partir d'aciers de construction au carbone et alliés, de tôles, de barres et de profilés présentant une forte épaisseur, une limite d'élasticité élevée et un rapport Re/Rm compris entre les limites de 0,80 à 0,95, et qui, après un... | §9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcess of manufacture, starting from carbon steel and alloy steels, of sheets, bars and profiles with a high thickness, a high yield strength limit, and a Re/Rm ratio between 0.80 and 0.95, and which, after hot rolling, are subjected to a cold rolling process characterized... | <|BOS|>Translate FR->EN:
§9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication, à partir d'aciers de construction au carbone et alliés, de tôles, de barres et de profilés présentant une forte épaisseur, une limite d'élasticité élevée et un rapport Re/Rm compris entre les limites de 0,80 à 0,95, et qui, a... |
§9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcess of manufacture, starting from carbon steel and alloy steels, of sheets, bars and profiles with a high thickness, a high yield strength limit, and a Re/Rm ratio between 0.80 and 0.95, and which, after hot rolling, are subjected to a cold rolling process characteriz... |
FR2001197A1 | A1 | 19690926 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I 0 N Redresseur à double alternance comprenant en combinaison une série de plaques de phase en nombre égal au nombre de phases de l'alimentation à redresser , deux plaques formant bornes,et une série de diodes interconnectant les plaques formant bornes et les plaques de phase de sorte qutune sortie... | 804 | R E V E N D I C A T I 0 N Redresseur à double alternance comprenant en combinaison une série de plaques de phase en nombre égal au nombre de phases de l'alimentation à redresser , deux plaques formant bornes,et une série de diodes interconnectant les plaques formant bornes et les plaques de phase de sorte qutune sortie... | 804 | Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I 0 N Redresseur à double alternance comprenant en combinaison une série de plaques de phase en nombre égal au nombre de phases de l'alimentation à redresser , deux plaques formant bornes,et une série de diodes interconnectant les plaques formant bornes et les plaques de phase de s... | <|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I 0 N Redresseur à double alternance comprenant en combinaison une série de plaques de phase en nombre égal au nombre de phases de l'alimentation à redresser , deux plaques formant bornes,et une série de diodes interconnectant les plaques formant bornes et les plaques de pha... | |||
FR2001970A1 | A1 | 19691003 | claim | claims | 1 | 69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Unité de oireait électrique comprenant plusieurs couches de conducteurs mutuellement isolés sur un substrat pour interconnecter plusieurs composants de circuit, caractérisée en ce que le substrat est une plaque de métal isolé à. conductibilité 5 électrique et thermique élevée, qui... | 1,479 | 69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Unité de oireait électrique comprenant plusieurs couches de conducteurs mutuellement isolés sur un substrat pour interconnecter plusieurs composants de circuit, caractérisée en ce que le substrat est une plaque de métal isolé à. conductibilité 5 électrique et thermique élevée, qui... | 1,479 | 69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Electrical unit of wire comprising several layers of mutually insulated conductors on a substrate for interconnecting multiple circuit components, characterized in that the substrate is a high electrical and thermal conductivity metal plate, serving as a power supply and cold sour... | Translate FR->EN:
69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Unité de oireait électrique comprenant plusieurs couches de conducteurs mutuellement isolés sur un substrat pour interconnecter plusieurs composants de circuit, caractérisée en ce que le substrat est une plaque de métal isolé à. conductibilité 5 électrique et the... | 69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Electrical unit of wire comprising several layers of mutually insulated conductors on a substrate for interconnecting multiple circuit components, characterized in that the substrate is a high electrical and thermal conductivity metal plate, serving as a power supply and cold sour... | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Unité de oireait électrique comprenant plusieurs couches de conducteurs mutuellement isolés sur un substrat pour interconnecter plusieurs composants de circuit, caractérisée en ce que le substrat est une plaque de métal isolé à. conductibilité 5 électrique... |
69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Electrical unit of wire comprising several layers of mutually insulated conductors on a substrate for interconnecting multiple circuit components, characterized in that the substrate is a high electrical and thermal conductivity metal plate, serving as a power supply and cold so... |
FR2002417A1 | A1 | 19691017 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1 - Elément de quartz, par exemple tubulaire, utilisé notamment dans la fabrication à température élevée de composants semi-conducteurs, tels que diodes, diodes à 5 quatre couches, transistors, circuits intégrés, etc., caractérisé en ce qu'il contient, au moins dans sa couche superficielle, en plus du Si... | 1,627 | REVENDICATIONS 1 - Elément de quartz, par exemple tubulaire, utilisé notamment dans la fabrication à température élevée de composants semi-conducteurs, tels que diodes, diodes à 5 quatre couches, transistors, circuits intégrés, etc., caractérisé en ce qu'il contient, au moins dans sa couche superficielle, en plus du Si... | 1,627 | REQUIREMENTS 1 - A quartz element, for example tubular, used in the high-temperature fabrication of semiconductor components such as diodes, 5-layer diodes, transistors, integrated circuits, etc., characterized in that it contains, at least in its surface layer, in addition to SiO2, at least one other material with a c... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Elément de quartz, par exemple tubulaire, utilisé notamment dans la fabrication à température élevée de composants semi-conducteurs, tels que diodes, diodes à 5 quatre couches, transistors, circuits intégrés, etc., caractérisé en ce qu'il contient, au moins dans sa couche superficie... | REQUIREMENTS 1 - A quartz element, for example tubular, used in the high-temperature fabrication of semiconductor components such as diodes, 5-layer diodes, transistors, integrated circuits, etc., characterized in that it contains, at least in its surface layer, in addition to SiO2, at least one other material with a c... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Elément de quartz, par exemple tubulaire, utilisé notamment dans la fabrication à température élevée de composants semi-conducteurs, tels que diodes, diodes à 5 quatre couches, transistors, circuits intégrés, etc., caractérisé en ce qu'il contient, au moins dans sa couche sup... |
REQUIREMENTS 1 - A quartz element, for example tubular, used in the high-temperature fabrication of semiconductor components such as diodes, 5-layer diodes, transistors, integrated circuits, etc., characterized in that it contains, at least in its surface layer, in addition to SiO2, at least one other material with a... |
FR2002924A1 | A1 | 19691031 | claim | claims | 1 | 69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Dispositif semiconducteur renfermant un bloc semiconducteur composé d'un substrat et d'au moims une couche épitaxiale sur ce substrat, caractérisé par le fait qu'au moins une zone de cette couche épitaxiale incorpore des particules de dimensions in-5 férieures au micron d'un matér... | 1,241 | 69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Dispositif semiconducteur renfermant un bloc semiconducteur composé d'un substrat et d'au moims une couche épitaxiale sur ce substrat, caractérisé par le fait qu'au moins une zone de cette couche épitaxiale incorpore des particules de dimensions in-5 férieures au micron d'un matér... | 1,241 | 69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Semiconductor device comprising a semiconductor block comprising a substrate and at least one epitaxial layer on the substrate, characterized in that at least one region of this epitaxial layer comprises particles of dimensions less than a micron of a material belonging to the gro... | Translate FR->EN:
69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Dispositif semiconducteur renfermant un bloc semiconducteur composé d'un substrat et d'au moims une couche épitaxiale sur ce substrat, caractérisé par le fait qu'au moins une zone de cette couche épitaxiale incorpore des particules de dimensions in-5 férieures au... | 69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Semiconductor device comprising a semiconductor block comprising a substrate and at least one epitaxial layer on the substrate, characterized in that at least one region of this epitaxial layer comprises particles of dimensions less than a micron of a material belonging to the gro... | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Dispositif semiconducteur renfermant un bloc semiconducteur composé d'un substrat et d'au moims une couche épitaxiale sur ce substrat, caractérisé par le fait qu'au moins une zone de cette couche épitaxiale incorpore des particules de dimensions in-5 férie... |
69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Semiconductor device comprising a semiconductor block comprising a substrate and at least one epitaxial layer on the substrate, characterized in that at least one region of this epitaxial layer comprises particles of dimensions less than a micron of a material belonging to the g... |
FR2002938A1 | A1 | 19691031 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1° - Dispositif redresseur pour alternateur d'éclairage de véhicules automobilesp caractérisé par des éléments redresseurs semi-conducteurs disposés sur des plaques-support, 5 agencées sous forme de tôle de refroidissement» et se composant respectivement d'une bande de tôle qui est pourvue à intervalles ... | 608 | REVENDICATIONS 1° - Dispositif redresseur pour alternateur d'éclairage de véhicules automobilesp caractérisé par des éléments redresseurs semi-conducteurs disposés sur des plaques-support, 5 agencées sous forme de tôle de refroidissement» et se composant respectivement d'une bande de tôle qui est pourvue à intervalles ... | 608 | REVENDICATIONS 1° - A device for reversing the alternator of a vehicle's lighting system characterized by semiconductor elements arranged on support plates, five arranged in the form of a cooling plate, and composed respectively of a strip of sheet metal provided with equal intervals of notches oriented perpendicularly... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1° - Dispositif redresseur pour alternateur d'éclairage de véhicules automobilesp caractérisé par des éléments redresseurs semi-conducteurs disposés sur des plaques-support, 5 agencées sous forme de tôle de refroidissement» et se composant respectivement d'une bande de tôle qui est pour... | REVENDICATIONS 1° - A device for reversing the alternator of a vehicle's lighting system characterized by semiconductor elements arranged on support plates, five arranged in the form of a cooling plate, and composed respectively of a strip of sheet metal provided with equal intervals of notches oriented perpendicularly... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1° - Dispositif redresseur pour alternateur d'éclairage de véhicules automobilesp caractérisé par des éléments redresseurs semi-conducteurs disposés sur des plaques-support, 5 agencées sous forme de tôle de refroidissement» et se composant respectivement d'une bande de tôle qui e... |
REVENDICATIONS 1° - A device for reversing the alternator of a vehicle's lighting system characterized by semiconductor elements arranged on support plates, five arranged in the form of a cooling plate, and composed respectively of a strip of sheet metal provided with equal intervals of notches oriented perpendicula... |
FR2003051A1 | A1 | 19691107 | claim | claims | 1 | revendications 1.- Procédé de préparation de matières cellulaires de polyuréthanes à partir de polyesters, de polyisocyanates, d'agents d'allongement de chaîne, d'activateurs et de stabilisants 5 de mousse non ioniques, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formule générale : e - ... | 1,542 | revendications 1.- Procédé de préparation de matières cellulaires de polyuréthanes à partir de polyesters, de polyisocyanates, d'agents d'allongement de chaîne, d'activateurs et de stabilisants 5 de mousse non ioniques, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formule générale : e - ... | 1,542 | claims 1.- Preparation method of cellular polyurethane materials from polyester, polyisocyanates, chain extenders, initiators and stabilizers of non-ionic foam, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 in which E represents an alkoxy, alkenyloxy, cycloal... | Translate FR->EN:
revendications 1.- Procédé de préparation de matières cellulaires de polyuréthanes à partir de polyesters, de polyisocyanates, d'agents d'allongement de chaîne, d'activateurs et de stabilisants 5 de mousse non ioniques, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formu... | claims 1.- Preparation method of cellular polyurethane materials from polyester, polyisocyanates, chain extenders, initiators and stabilizers of non-ionic foam, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 in which E represents an alkoxy, alkenyloxy, cycloal... | <|BOS|>Translate FR->EN:
revendications 1.- Procédé de préparation de matières cellulaires de polyuréthanes à partir de polyesters, de polyisocyanates, d'agents d'allongement de chaîne, d'activateurs et de stabilisants 5 de mousse non ioniques, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés d... |
claims 1.- Preparation method of cellular polyurethane materials from polyester, polyisocyanates, chain extenders, initiators and stabilizers of non-ionic foam, characterized in that the foam stabilizers are compounds of general formula: e - bXa - i- a-bLe c=x f E 10 in which E represents an alkoxy, alkenyloxy, cyclo... |
FR2003087A1 | A1 | 19691107 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif pour le renvidage ae produits filicrimes sans Ln, venant d'outre filés ou coulés et/ou étirés, l'aide de têtes de bobinage à régulatIon de vitesse, disposées en plusieurs étages les unes en dessous des autres et aliment 2 en fl depuis le haut, avec des bras pivotants oui... | 1,554 | R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif pour le renvidage ae produits filicrimes sans Ln, venant d'outre filés ou coulés et/ou étirés, l'aide de têtes de bobinage à régulatIon de vitesse, disposées en plusieurs étages les unes en dessous des autres et aliment 2 en fl depuis le haut, avec des bras pivotants oui... | 1,554 | Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif pour le renvidage ae produits filicrimes sans Ln, venant d'outre filés ou coulés et/ou étirés, l'aide de têtes de bobinage à régulatIon de vitesse, disposées en plusieurs étages les unes en dessous des autres et aliment 2 en fl depuis le haut, avec des ... | <|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif pour le renvidage ae produits filicrimes sans Ln, venant d'outre filés ou coulés et/ou étirés, l'aide de têtes de bobinage à régulatIon de vitesse, disposées en plusieurs étages les unes en dessous des autres et aliment 2 en fl depuis le haut, av... | |||
FR2003872A1 | A1 | 19691114 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I 0 N S R E V E N D I C A T I O 10- Un procédé pour former des contacts saillants sur une face d'uné structure micro-électronique, caractérisé par l'éta- blissement d'une première couche diélectrique sur la surface sélectionnée avec des ouvertures aux emplacements devant porter les contactes, la for... | 1,778 | R E V E N D I C A T I 0 N S R E V E N D I C A T I O 10- Un procédé pour former des contacts saillants sur une face d'uné structure micro-électronique, caractérisé par l'éta- blissement d'une première couche diélectrique sur la surface sélectionnée avec des ouvertures aux emplacements devant porter les contactes, la for... | 1,778 | Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I 0 N S R E V E N D I C A T I O 10- Un procédé pour former des contacts saillants sur une face d'uné structure micro-électronique, caractérisé par l'éta- blissement d'une première couche diélectrique sur la surface sélectionnée avec des ouvertures aux emplacements devant porter les... | <|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I 0 N S R E V E N D I C A T I O 10- Un procédé pour former des contacts saillants sur une face d'uné structure micro-électronique, caractérisé par l'éta- blissement d'une première couche diélectrique sur la surface sélectionnée avec des ouvertures aux emplacements devant por... | |||
FR2003877A1 | A1 | 19691114 | claim | claims | 1 | REVENDICATION Broyeur à impact à rotor et tôles ou plaques d'impact fixées dans le carter du broyeur, utilisable notamment pour le broyage de pierres jusqu'à la finesse du sable, comportant une barre oscillan- te montée de manière réglable immédiatement sous la dernière plaque d'impact, cette barre étant équipée, dans ... | 1,146 | REVENDICATION Broyeur à impact à rotor et tôles ou plaques d'impact fixées dans le carter du broyeur, utilisable notamment pour le broyage de pierres jusqu'à la finesse du sable, comportant une barre oscillan- te montée de manière réglable immédiatement sous la dernière plaque d'impact, cette barre étant équipée, dans ... | 1,146 | REQUIREMENT: Impact crusher with rotor and impact plates fixed in the crusher housing, usable for crushing rocks down to the fineness of sand, comprising a oscillating bar mounted immediately below the last impact plate, this bar being equipped, at the entrance of the materials, with a crushing plate preferably symmetr... | Translate FR->EN:
REVENDICATION Broyeur à impact à rotor et tôles ou plaques d'impact fixées dans le carter du broyeur, utilisable notamment pour le broyage de pierres jusqu'à la finesse du sable, comportant une barre oscillan- te montée de manière réglable immédiatement sous la dernière plaque d'impact, cette barre ét... | REQUIREMENT: Impact crusher with rotor and impact plates fixed in the crusher housing, usable for crushing rocks down to the fineness of sand, comprising a oscillating bar mounted immediately below the last impact plate, this bar being equipped, at the entrance of the materials, with a crushing plate preferably symmetr... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATION Broyeur à impact à rotor et tôles ou plaques d'impact fixées dans le carter du broyeur, utilisable notamment pour le broyage de pierres jusqu'à la finesse du sable, comportant une barre oscillan- te montée de manière réglable immédiatement sous la dernière plaque d'impact, cette b... |
REQUIREMENT: Impact crusher with rotor and impact plates fixed in the crusher housing, usable for crushing rocks down to the fineness of sand, comprising a oscillating bar mounted immediately below the last impact plate, this bar being equipped, at the entrance of the materials, with a crushing plate preferably symme... |
FR2004192A1 | A1 | 19691121 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I O N S 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un élément semiconducteur disposé entre au moins deux électrodes de bornes dont l'une au moins est maintenue en bon contact thermique et eliac- trique avec cet élément semiconducteur au moyen d'un dispositif exerçant une pression, dispositif caractéri... | 1,442 | R E V E N D I C A T I O N S 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un élément semiconducteur disposé entre au moins deux électrodes de bornes dont l'une au moins est maintenue en bon contact thermique et eliac- trique avec cet élément semiconducteur au moyen d'un dispositif exerçant une pression, dispositif caractéri... | 1,442 | REVENDESSIONS 1.- Semiconductor device comprising a semiconductor element disposed between at least two electrode terminals, at least one of which is maintained in good thermal and electrical contact with the semiconductor element by a device applying pressure, the device characterized by a flexible sheet comprising a ... | Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un élément semiconducteur disposé entre au moins deux électrodes de bornes dont l'une au moins est maintenue en bon contact thermique et eliac- trique avec cet élément semiconducteur au moyen d'un dispositif exerçant une pression, di... | REVENDESSIONS 1.- Semiconductor device comprising a semiconductor element disposed between at least two electrode terminals, at least one of which is maintained in good thermal and electrical contact with the semiconductor element by a device applying pressure, the device characterized by a flexible sheet comprising a ... | <|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un élément semiconducteur disposé entre au moins deux électrodes de bornes dont l'une au moins est maintenue en bon contact thermique et eliac- trique avec cet élément semiconducteur au moyen d'un dispositif exerçant une press... |
REVENDESSIONS 1.- Semiconductor device comprising a semiconductor element disposed between at least two electrode terminals, at least one of which is maintained in good thermal and electrical contact with the semiconductor element by a device applying pressure, the device characterized by a flexible sheet comprising... |
FR2004346A1 | A1 | 19691121 | claim | claims | 1 | 69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Procédé de production de chlorure de cyanogène en même temps que du chlorure de cyanuryle et du chlorure de cyanogène tétramère, caractérisé en ce qu'on fait réagir des quantités au 5 moins équimolaires de chlore sous pression avec de l'acide cyanhydrique en phase liquide à des tem... | 838 | 69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Procédé de production de chlorure de cyanogène en même temps que du chlorure de cyanuryle et du chlorure de cyanogène tétramère, caractérisé en ce qu'on fait réagir des quantités au 5 moins équimolaires de chlore sous pression avec de l'acide cyanhydrique en phase liquide à des tem... | 838 | 69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Production method of cyanogen chloride in the same time as cyanuric chloride and tetrameric cyanogen chloride, characterized in that one reacts in a liquid phase, under pressure, quantities of chlorine (5 less equivalent) with aqueous hydrocyanic acid, at temperatures of about -20°... | Translate FR->EN:
69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Procédé de production de chlorure de cyanogène en même temps que du chlorure de cyanuryle et du chlorure de cyanogène tétramère, caractérisé en ce qu'on fait réagir des quantités au 5 moins équimolaires de chlore sous pression avec de l'acide cyanhydrique en phase... | 69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Production method of cyanogen chloride in the same time as cyanuric chloride and tetrameric cyanogen chloride, characterized in that one reacts in a liquid phase, under pressure, quantities of chlorine (5 less equivalent) with aqueous hydrocyanic acid, at temperatures of about -20°... | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Procédé de production de chlorure de cyanogène en même temps que du chlorure de cyanuryle et du chlorure de cyanogène tétramère, caractérisé en ce qu'on fait réagir des quantités au 5 moins équimolaires de chlore sous pression avec de l'acide cyanhydrique e... |
69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Production method of cyanogen chloride in the same time as cyanuric chloride and tetrameric cyanogen chloride, characterized in that one reacts in a liquid phase, under pressure, quantities of chlorine (5 less equivalent) with aqueous hydrocyanic acid, at temperatures of about -2... |
FR2005454A1 | A1 | 19691212 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélectrique le refroidissement enrobé dans cette couche vitreuse, 5 - un élément semi-conducteur disposé sur le matériau diélectrique assurant la dissipation de la chale... | 1,232 | REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélectrique le refroidissement enrobé dans cette couche vitreuse, 5 - un élément semi-conducteur disposé sur le matériau diélectrique assurant la dissipation de la chale... | 1,232 | REVENDICATIONS 1°) A semiconductor device comprising: - a dielectric support, - a glass layer disposed on this support. - a dielectric material cooled encapsulated in this glass layer, 5 - a semiconductor element disposed on the dielectric material ensuring the dissipation of heat. 2e) A semiconductor device as describ... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélectrique le refroidissement enrobé dans cette couche vitreuse, 5 - un élément semi-conducteur disposé sur le matériau diélectrique assurant la dissi... | REVENDICATIONS 1°) A semiconductor device comprising: - a dielectric support, - a glass layer disposed on this support. - a dielectric material cooled encapsulated in this glass layer, 5 - a semiconductor element disposed on the dielectric material ensuring the dissipation of heat. 2e) A semiconductor device as describ... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélectrique le refroidissement enrobé dans cette couche vitreuse, 5 - un élément semi-conducteur disposé sur le matériau diélectrique assurant l... |
REVENDICATIONS 1°) A semiconductor device comprising: - a dielectric support, - a glass layer disposed on this support. - a dielectric material cooled encapsulated in this glass layer, 5 - a semiconductor element disposed on the dielectric material ensuring the dissipation of heat. 2e) A semiconductor device as descr... |
FR2005553A1 | A1 | 19691212 | claim | claims | 1 | revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde la surface du support avec des ions, préalablement au traitement de cette surface par une solution de placage sans électricité» 5 2, Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le support... | 1,877 | revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde la surface du support avec des ions, préalablement au traitement de cette surface par une solution de placage sans électricité» 5 2, Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le support... | 1,877 | 2005553 | Translate FR->EN:
revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde la surface du support avec des ions, préalablement au traitement de cette surface par une solution de placage sans électricité» 5 2, Procédé selon la revendication 1, caractérisé en... | 2005553 | <|BOS|>Translate FR->EN:
revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde la surface du support avec des ions, préalablement au traitement de cette surface par une solution de placage sans électricité» 5 2, Procédé selon la revendication 1, caracté... |
2005553
<CLM>1
Process for the non-electric plating of a support, characterized in that the surface of the support is bombarded with ions, prior to the plating treatment of this surface by a non-electric plating solution. 5 2, Process according to claim 1, characterized in that the support is electrically insulating.... |
FR2006001A1 | A1 | 19691219 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones du type opposé ou deuxième type de conductibilité délimitant entre elles des jonctions p-n et fournissant respectivement les zones de base, d'émetteur ... | 1,395 | REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones du type opposé ou deuxième type de conductibilité délimitant entre elles des jonctions p-n et fournissant respectivement les zones de base, d'émetteur ... | 1,395 | REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising a semiconductor block having a first type of conductivity region placed between two regions of opposite or second type of conductivity defining therebetween p-n junctions and providing respectively the base, emitter and collector regions of a transistor, and a housin... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones du type opposé ou deuxième type de conductibilité délimitant entre elles des jonctions p-n et fournissant respectivement les zones de... | REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising a semiconductor block having a first type of conductivity region placed between two regions of opposite or second type of conductivity defining therebetween p-n junctions and providing respectively the base, emitter and collector regions of a transistor, and a housin... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones du type opposé ou deuxième type de conductibilité délimitant entre elles des jonctions p-n et fournissant respectivement les z... |
REVENDICATIONS 1.- A semiconductor device comprising a semiconductor block having a first type of conductivity region placed between two regions of opposite or second type of conductivity defining therebetween p-n junctions and providing respectively the base, emitter and collector regions of a transistor, and a hous... |
FR2006538A1 | A1 | 19691226 | claim | claims | 1 | 69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un revêtement 5 superficiel adhérent de phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, et VIII de la Classification périodique des... | 1,586 | 69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un revêtement 5 superficiel adhérent de phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, et VIII de la Classification périodique des... | 1,586 | 69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Application procedure of a hardening composition on a substrate having a surface adherent metallic phosphate coating, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 2°- Procedure in accordance with claim 1, in which t... | Translate FR->EN:
69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un revêtement 5 superficiel adhérent de phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, et VIII de la Classificat... | 69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Application procedure of a hardening composition on a substrate having a surface adherent metallic phosphate coating, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 2°- Procedure in accordance with claim 1, in which t... | <|BOS|>Translate FR->EN:
69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un revêtement 5 superficiel adhérent de phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, et VIII de la Clas... |
69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Application procedure of a hardening composition on a substrate having a surface adherent metallic phosphate coating, the metal being selected from groups IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, and VIII of the Periodic Table. 2°- Procedure in accordance with claim 1, in which... |
FR2006708A1 | A1 | 19700102 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur à contact redresseur formé sur un substrat en silicium, caractérisé par une couche de tungstène appliquée sur une partie d'une surface du substrat en silicium, cette couche de tungstène établissant le contact redresseur avec ladite surface.\n<CLM>\1\tDisp... | 1,842 | R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur à contact redresseur formé sur un substrat en silicium, caractérisé par une couche de tungstène appliquée sur une partie d'une surface du substrat en silicium, cette couche de tungstène établissant le contact redresseur avec ladite surface.\n<CLM>\1\tDisp... | 1,842 | Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur à contact redresseur formé sur un substrat en silicium, caractérisé par une couche de tungstène appliquée sur une partie d'une surface du substrat en silicium, cette couche de tungstène établissant le contact redresseur avec ladite surfa... | <|BOS|>Translate FR->EN:
R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur à contact redresseur formé sur un substrat en silicium, caractérisé par une couche de tungstène appliquée sur une partie d'une surface du substrat en silicium, cette couche de tungstène établissant le contact redresseur avec ladit... | |||
FR2007542A1 | A1 | 19700109 | claim | claims | 1 | 13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ... | 1,193 | 13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ... | 1,193 | 13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ... | Translate FR->EN:
13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooé... | 13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ... | <|BOS|>Translate FR->EN:
13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit... |
13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé e... |
FR2008236A1 | A1 | 19700116 | claim | claims | 1 | Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à découvert des parties de c... | 1,792 | Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à découvert des parties de c... | 1,792 | Claims 1 - Electrical connection device for semiconductor devices or integrated circuits comprising a series of circuit elements formed near a surface of a substrate and an insulating layer on the surface comprising a series of holes exposing parts of the circuits, characterized by multiple-layer interconnections dispo... | Translate FR->EN:
Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à découver... | Claims 1 - Electrical connection device for semiconductor devices or integrated circuits comprising a series of circuit elements formed near a surface of a substrate and an insulating layer on the surface comprising a series of holes exposing parts of the circuits, characterized by multiple-layer interconnections dispo... | <|BOS|>Translate FR->EN:
Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à d... |
Claims 1 - Electrical connection device for semiconductor devices or integrated circuits comprising a series of circuit elements formed near a surface of a substrate and an insulating layer on the surface comprising a series of holes exposing parts of the circuits, characterized by multiple-layer interconnections dis... |
FR2008771A1 | A1 | 19700123 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semiconducteur, caractérisé en ce que la couche métallique se compose d'un mélange de tungstène et d'un 5 métal modifié ayant une résistance à la corrosion plus grande ... | 858 | REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semiconducteur, caractérisé en ce que la couche métallique se compose d'un mélange de tungstène et d'un 5 métal modifié ayant une résistance à la corrosion plus grande ... | 858 | REQUIREMENTS 1 - A semiconductor device comprising a metallic layer providing a resistive connection to a part of the semiconductor device's surface, characterized in that the metallic layer comprises a mixture of tungsten and a modified metal having a corrosion resistance higher than that of tungsten. 2 - A semiconduc... | Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semiconducteur, caractérisé en ce que la couche métallique se compose d'un mélange de tungstène et d'un 5 métal modifié ayant une résistance à la corr... | REQUIREMENTS 1 - A semiconductor device comprising a metallic layer providing a resistive connection to a part of the semiconductor device's surface, characterized in that the metallic layer comprises a mixture of tungsten and a modified metal having a corrosion resistance higher than that of tungsten. 2 - A semiconduc... | <|BOS|>Translate FR->EN:
REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semiconducteur, caractérisé en ce que la couche métallique se compose d'un mélange de tungstène et d'un 5 métal modifié ayant une résistance à ... |
REQUIREMENTS 1 - A semiconductor device comprising a metallic layer providing a resistive connection to a part of the semiconductor device's surface, characterized in that the metallic layer comprises a mixture of tungsten and a modified metal having a corrosion resistance higher than that of tungsten. 2 - A semicond... |
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